向上した耐放射線性を有する多重ドープルテチウム系オキシオルトシリケートシンチレータ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-504826
公開番号（公開出願番号）：特表2015-518070
出願日： 2013年04月12日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

本発明は、希土類シリケートを主成分とし、ルテチウムを含み、化学式:(Lu2-w-x+2yAwCexSi1-y)1-zMezJjOqおよび(Lu2-w-x-2yAwCexSi1+y)1-zMezJjOqで表される組成を有する固溶体の一連の多重ドープセリウム活性化シンチレーション材料に関する。本発明は、高エネルギー物理学における素粒子および原子核の検出、原子力産業;医療、陽電子放射断層撮影法(TOF PETおよびDOI PETスキャナー)および単光子放射型コンピューター断層撮影法(SPECT)、磁気共鳴画像法を有する陽電子放射断層撮影法(PET/MR);X線コンピューターフルオログラフィー;空港セキュリティシステム、トラックおよび貨物用コンテナの検査用のガンマ線システムなどの固体構造の非破壊試験に有用である。

請求項（抜粋）：

約400〜450nmの範囲内の発光極大を有し、ルテチウム(Lu)およびセリウム(Ce)を含むシリケートを主成分とするシンチレーション材料であって、組成が2つの化学式 (Lu2-w-x+2yAwCexSi1-y)1-zMezJjOq (1) (式中: Aは、Sc、Y、Gd、およびLuからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; Meは、Li、Na、K、Cu、Ag、Mg、Ca、Zn、Sr、Cd、B、Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; Jは、N、F、P、S、およびClからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; qは4.9f.u.〜5.024f.u.の間の値であり、 wは約0f.u.〜1f.u.の間の値であり、 xは3×10-4f.u.〜0.02f.u.の間の値であり、 yは0.003f.u.〜0.024f.u.の間の値であり、 zは約0f.u.〜0.001f.u.の間の値であり、 jは約0f.u.〜0.03f.u.の間の値である) (Lu2-w-x-2yAwCexSi1+y)1-zMezJjOq (2) (式中: Aは、Sc、Y、Gd、およびLuからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; Meは、Li、Na、K、Cu、Ag、Mg、Ca、Zn、Sr、Cd、B、Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; Jは、N、F、P、S、およびClからなる群から選択される少なくとも1つの元素であり; qは4.9f.u.〜5.0f.u.の間の値であり、 wは約0f.u.〜1f.u.の間の値であり、 xは3×10-4f.u.〜0.02f.u.の間の値であり、 yは0.001f.u.〜0.04f.u.の間の値であり、 zは約0f.u.〜0.001f.u.の間の値であり、 jは約0f.u.〜0.03f.u.の間の値である) の内の1つで表されることを特徴とするシンチレーション材料。

IPC (7件)：

C09K 11/00 , C30B 29/34 , C30B 15/00 , C30B 33/02 , C09K 11/77 , C09K 11/79 , C09K 11/08

FI (7件)：

C09K11/00 E , C30B29/34 Z , C30B15/00 Z , C30B33/02 , C09K11/77 , C09K11/79 , C09K11/08 B

Fターム (62件)：

4G077AA02 , 4G077AB04 , 4G077BB03 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EB03 , 4G077EG02 , 4G077EH08 , 4G077EH09 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FG12 , 4G077FG13 , 4G077HA02 , 4G077PA03 , 4G077PB01 , 4H001CA02 , 4H001CF02 , 4H001XA03 , 4H001XA05 , 4H001XA07 , 4H001XA09 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA15 , 4H001XA16 , 4H001XA17 , 4H001XA19 , 4H001XA20 , 4H001XA21 , 4H001XA22 , 4H001XA23 , 4H001XA24 , 4H001XA25 , 4H001XA26 , 4H001XA27 , 4H001XA28 , 4H001XA29 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA32 , 4H001XA38 , 4H001XA39 , 4H001XA40 , 4H001XA47 , 4H001XA48 , 4H001XA50 , 4H001XA57 , 4H001XA59 , 4H001XA60 , 4H001XA62 , 4H001XA63 , 4H001XA64 , 4H001XA65 , 4H001XA66 , 4H001XA67 , 4H001XA68 , 4H001XA69 , 4H001XA70 , 4H001XA71 , 4H001XA72 , 4H001YA58

引用特許：

審査官引用 (8件)

シンチレーション物質(変種)
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-539423 出願人：ゼコテック・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド
シンチレーション材料およびシンチレーション導波路素子
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-536000 出願人：ティーエイエスアールリミテッド
特許第6278832号

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