特許

J-GLOBAL ID：201503080764346706

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  須澤 英臣 ,  花岡 一哉
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-108844
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015457
出願日： 2014年05月27日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面上の第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜の上の第2の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜に接するソース電極およびドレイン電極と、第2の酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上の第3の酸化物半導体膜と、第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、ゲート電極とゲート絶縁膜の第1の界面は、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜の第2の界面より絶縁表面に近い領域を有する構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、 前記絶縁表面の上面、前記第1の酸化物半導体膜の側面、前記第2の酸化物半導体膜の側面および前記第2の酸化物半導体膜の上面と接する第3の酸化物半導体膜と、 第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面に面するゲート電極と、を有し、 前記第1の酸化物半導体膜の厚さが、前記第3の酸化物半導体膜の厚さおよび前記ゲート絶縁膜の厚さの合計よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/363

FI (8件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627C ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/10 321 ,  H01L21/363

Fターム (131件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC39 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F083AD01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103GG10 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103RR05 ,  5F103RR07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL14 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-134667   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-280217   出願人：富士フイルム株式会社
• 酸化物半導体膜、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-221574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-164265   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-155482   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所