特許
J-GLOBAL ID：201503089180279290

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
堀井 拓

堀井 拓 について

, 
石田 智章

石田 智章 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

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ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-198555
公開番号（公開出願番号）：特開2015-065316
出願日： 2013年09月25日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：
【課題】閾値電圧が安定した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、第1の主面P1と第1の主面P1の反対側に位置する第2の主面P2とを有する炭化珪素基板100を準備する工程S1と、第1の主面P1へ不純物をドーピングすることにより、炭化珪素基板100内にドーピング領域を形成する工程S2と、第1の主面P1におけるドーピング領域上に第1の保護膜10を形成する工程S3と、第1の保護膜10が形成された状態でアニールを行なうことにより、ドーピング領域に含まれる不純物を活性化する工程S5と、を備え、第1の保護膜10を形成する工程S3は、金属元素の濃度が5μg/kg以下である第1の保護膜10となるべき材料を第1の主面P1上に配置する工程を含む。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
第1の主面と前記第1の主面の反対側に位置する第2の主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程と、 前記第1の主面へ不純物をドーピングすることにより、前記炭化珪素基板内にドーピング領域を形成する工程と、 前記第1の主面における前記ドーピング領域上に第1の保護膜を形成する工程と、 前記第1の保護膜が形成された状態でアニールを行なうことにより、前記ドーピング領域に含まれる前記不純物を活性化する工程と、を備え、 前記第1の保護膜を形成する工程は、金属元素の濃度が5μg/kg以下である前記第1の保護膜となるべき材料を前記第1の主面上に配置する工程を含む、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20
FI (11件)：
H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 658C ,  H01L29/78 655Z ,  H01L21/22 P ,  H01L21/265 H ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/20
Fターム (5件)：
5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN05 ,  5F152NQ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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