特許
J-GLOBAL ID：200903048625401648

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
沢田 隆夫

沢田 隆夫 について

, 
渡辺 友勝

渡辺 友勝 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-073440
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065112
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】 ステップバンチング防止のために炭化珪素ウエハ上に形成されるカーボン保護膜に対して、不純物の混入が極めて少なく、かつ炭化珪素ウエハに対する不均衡な熱応力による結晶欠陥の増大を防止するカーボン保護膜の形成方法を提供し、品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 炭化珪素ウエハ(1,2)の表面内に不純物をイオン注入する工程と、不純物のイオン注入後に、炭化水素ガスを熱分解させて成膜する化学気相成長法により炭化珪素ウエハの全表面に所定の厚さのカーボン保護膜(6)を形成する工程と、カーボン保護膜(6)が形成された炭化珪素ウエハ(1,2)をアニールする工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 炭化珪素ウエハの表面内に不純物をイオン注入する工程と、 前記イオン注入後に、炭化水素ガスを熱分解させて成膜する化学気相成長法により、前記炭化珪素ウエハの全表面に所定の厚さのカーボン保護膜を形成する工程と、 前記カーボン保護膜が形成された前記炭化珪素ウエハをアニールする工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L21/265 602A ,  H01L21/314 A ,  H01L21/265 Z ,  H01L29/78 652T
Fターム (8件)：
5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BE07 ,  5F058BF04 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3760688号公報
  • SiC半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-171808   出願人：松下電器産業株式会社, 国立大学法人京都大学
審査官引用 (6件)
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