特許
J-GLOBAL ID：201503091505045449

化合物半導体装置

発明者：
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-176877
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256923
特許番号：特許第5682601号
出願日： 2012年08月09日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成されたGaN能動層と、前記GaN能動層上に形成されたAlGaNキャリア供給層とを含む化合物積層構造と、 前記化合物積層構造上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記化合物積層構造表面に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記化合物積層構造に達する第1の開口部を有し、前記第1の開口部の幅が、前記化合物積層構造表面から膜厚方向に連続的に広がっている第1の保護層と、 前記開口部内に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記第1の保護層に形成された前記化合物積層構造に達する第2の開口部に埋め込まれ、前記第1の保護層とは異なる絶縁層よりなる第2の保護層とを有し、 前記化合物積層構造の表面のみに原子層ステップが形成されている ことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/58 Z ,  H01L 29/44 S ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 105 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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