特許
J-GLOBAL ID：201503095932954137

カーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法

発明者：
大橋 俊之

大橋 俊之 について

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徳根 敏生

徳根 敏生 について

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大田 正弘

大田 正弘 について

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加藤 良吾

加藤 良吾 について

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嶋 敏之

嶋 敏之 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-191009
公開番号（公開出願番号）：特開2015-054811
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：
【課題】基板上に配設された遷移金属と貴金属との合金を含む触媒金属が、特定の面方位を有する結晶面を含む結晶構造を安定して備えることができるカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブ成長用基板において、該触媒金属は、第1の金属(遷移金属)と第2の金属(貴金属)との合金と、該合金の粒界面に固溶するか、或いは該合金中に固溶し、該合金の結晶面を安定化させる第3の金属とからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に配設されてカーボンナノチューブを成長させる触媒金属とを備えるカーボンナノチューブ成長用基板であって、 該触媒金属は、遷移金属からなる第1の金属と貴金属からなる第2の金属との合金と、該合金の粒界面に固溶するか、或いは該合金中に固溶し、該合金の結晶面を安定化させる第3の金属とからなることを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板。
IPC (3件)：
C01B 31/02 ,  B01J 23/89 ,  B01J 37/02
FI (3件)：
C01B31/02 101F ,  B01J23/89 M ,  B01J37/02 301P
Fターム (48件)：
4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC02B ,  4G146AC15B ,  4G146AC16B ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC48 ,  4G169AA03 ,  4G169AA12 ,  4G169BA06A ,  4G169BA06B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB11A ,  4G169BC12A ,  4G169BC16A ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC42A ,  4G169BC50A ,  4G169BC54A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EA11 ,  4G169EB14X ,  4G169EB14Y ,  4G169EC28 ,  4G169FA02 ,  4G169FB02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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