半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：藤原康高 , 野木新治 , 高橋拓也 , 黒田久美子 , 大西邦幸 , 石川隆史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-121885
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179359
特許番号：特許第5671100号
出願日： 2013年06月10日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 AlXGa1-XN(0≦X<1)を含む第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられ、AlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)を含み、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に設けられた電極と、を備え、塩素原子が前記第1の半導体層中には添加されておらず、少なくとも前記電極直下の前記第2の半導体層中に添加されており、前記塩素原子の濃度分布が前記電極側にピークを持つことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/48 D , H01L 29/48 F

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-325089 出願人：サンケン電気株式会社
特開昭55-085068
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-118085 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-325089 出願人：サンケン電気株式会社
特開昭55-085068
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-118085 出願人：株式会社東芝

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