特許
J-GLOBAL ID：201503099100931590
メモリまたはFPLAとして使用するための通常は単相のカルコゲナイド材料のプログラミング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-078997
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179311
特許番号：特許第5678118号
出願日： 2013年04月04日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリのための方法であって、
異なる閾値電圧を有する、少なくとも2つの異なる状態を有するように、メモリのメモリセル内のメモリ素子をプログラミングするステップを含み、
前記メモリ素子は非晶質のカルコゲナイド材料を含み、
前記カルコゲナイド材料は、0〜30%のゲルマニウム、0〜60%のテルル、11〜40%のヒ素、0〜42%のセレン、5〜15%のアンチモンを含み、30分間200°Cにさらされたとき、結晶質の相に変化しないことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 21/82 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, G11C 13/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 448
, H01L 27/10 481
, H01L 27/10 461
, H01L 21/82 A
, H01L 45/00 A
, G11C 13/00
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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