研究者
J-GLOBAL ID:201601020411395663   更新日: 2024年09月18日

藤野 真久

Fujino Masahisa
所属機関・部署:
職名: Senior Scientist
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2023 - 2026 原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
  • 2014 - 2017 自己組織化単分子膜およびナノ密着層を用いたグラフェンのガラスへの転写
  • 2014 - 2017 プラチナ触媒を使ったギ酸処理による低温接合手法の開発
論文 (92件):
  • Masahisa Fujino, Kenji Takahashi, Katsuya Kikuchi, Tetsuya Ueda, Noboru Miyata, Tsukasa Miyazaki. Interfacial analysis of bonded SiCn interfaces by neutron reflectometry. 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021. 2021. 10
  • Yuta Takahashi, Masahisa Fujino, Takashi Matsumae, Hiroshi Nakagawa, Katsuya Kikuchi, Tohru Taino. Surface activated bonding of Nb-Nb for surperconducting device interconnect. 2021 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2021. 2021. 21-22
  • Kazutaka Sueshige, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga, Masaaki Ichiki. Transfer of ferroelectric thin film capacitor using internal stress of plated film. IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines. 2021. 141. 2. 39-43
  • Masahisa Fujino, Kenji Takahashi, Katsuya Kikuchi. Wafer-level hybrid bonding for Cu/Interlayer-dielectric bonding. Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019. 2019. 44
  • Pei Wen Chou, Jenn Ming Song, Zong Yu Xie, Masatake Akaike, Tadatomo Suga, Masahisa Fujino, Jing Yuan Lin. Low temperature de-oxidation for copper surface by catalyzed formic acid vapor. Applied Surface Science. 2018. 456. 890-898
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MISC (8件):
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (6件):
  • 2024/09 - 現在 Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) Institute of Microelectronics (IME) Senior Scientist
  • 2023/10 - 2024/08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先端半導体研究センター 3D集積技術研究チーム 主任研究員
  • 2020/04 - 2023/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ 主任研究員
  • 2017/10 - 2020/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 3D集積システムグループ 主任研究員
  • 2007/12 - 2017/09 東京大学 大学院工学系研究科 精密工学専攻 助教
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