研究者
J-GLOBAL ID:201601020411395663   更新日: 2024年04月13日

藤野 真久

Fujino Masahisa
所属機関・部署:
職名: 主任研究員
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2023 - 2026 原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
  • 2014 - 2017 自己組織化単分子膜およびナノ密着層を用いたグラフェンのガラスへの転写
  • 2014 - 2017 プラチナ触媒を使ったギ酸処理による低温接合手法の開発
論文 (89件):
MISC (8件):
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (5件):
  • 2023/10 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先端半導体研究センター 3D集積技術研究チーム 主任研究員
  • 2020/04 - 2023/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ 主任研究員
  • 2017/10 - 2020/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 3D集積システムグループ 主任研究員
  • 2007/12 - 2017/09 東京大学 大学院工学系研究科 精密工学専攻 助教
  • 2005/10 - 2007/11 Fraunhofer Institute IZM Environmental Engineering Department Guest Researcher
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