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J-GLOBAL ID：201602202579914342   整理番号：16A0178511

セラミックスと異種材料の接合技術 Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス

著者 (1件)： 江川孝志 (Nagoya Inst. of Technol.)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 51  号： 2  ページ： 98-100  発行年： 2016年02月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： さらなる省エネ化の促進には,パワーデバイス分野における高効率化が必要である。このため,電気の変換や制御を行うSiパワーデバイスの一層の高性能化が要求されている。Siの物性限界を大幅に打破できる半導体材料として,特にSi基板上のGaNの研究開発が活発に進められている。本稿では,Si基板上のAlGaN/GaN高電子移動トランジスタ(HEMT)構造の厚膜化,高耐圧化およびパワーデバイスへの応用について解説した。1)Si基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長:MOCVD,各種基盤の格子定数差および熱膨張差,2)Si基板上のAlGaN/GaN HEMTの電気的特性:縦方向耐性の膜厚依存性,8インチSi基板上のリセスゲート構造のノーマリオフ型AlGaN/GaN HEM断面構造および電流-電圧特性。

シソーラス用語： *異種材料接合 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *HEMT ,  ウエハ【IC】 ,  アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  効率化 ,  厚膜 ,  耐圧性 ,  ヘテロエピタクシー ,  MOCVD ,  格子定数 ,  熱膨張係数 ,  電流電圧特性 ,  省エネルギー技術 ,  シリコンウエハ ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  改変 ,  節約
準シソーラス用語： 省エネルギー ,  *パワーデバイス ,  高電子移動度トランジスタ ,  シリコン基板 ,  AlGaN/GaN ,  高効率化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• T. Egawa, N. Nakada, H. Ishikawa and M. Umeno, Electron. Lett., 36, 1816-1817 (2000).
• A. Dadgar, J. Bräsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys., 39, L1183-L1185 (2000).
• Y. Uemoto, T. Morita, A. Ikoshi, H. Umeda, H. Matsuo, J. Shimizu, M. Hikita, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka and D. Ueda, Technical Digest of International Electron Devices Meeting, Washington DC, 165-168 (2009).
• T. Egawa, Technical Digest of International Electron Devices Meeting, San Francisco, 613-616 (2012).
• S. L. Selvaraj, T. Suzue and T. Egawa, IEEE Electron Device Lett., 30, 587-589 (2009).

タイトルに関連する用語 (7件)： セラミックス ,  異種材料 ,  Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  パワーデバイス