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文献
J-GLOBAL ID:201602210187362395   整理番号:16A0284114

低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

著者 (13件):
資料名:
巻: 63rd  ページ: ROMBUNNO.22A-W541-4  発行年: 2016年03月03日
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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