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J-GLOBAL ID：201602216265511914   整理番号：16A1348803

高分子凍結法による無機レジストに発生するパターン破壊の軽減

Pattern collapse mitigation in inorganic resists via a polymer freeze technique

著者 (4件)： Kulmala Tero S. (Laboratory for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, Villigen, Switzerland) ,  Buitrago Elizabeth (Laboratory for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, Villigen, Switzerland) ,  Vockenhuber Michaela (Laboratory for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, Villigen, Switzerland) ,  Ekinci Yasin (Laboratory for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, Villigen, Switzerland)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 155  ページ： 39-43  発行年： 2016年04月02日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィーによるパターン寸法の縮小化が絶え間なく続くと,レジスト厚みは解像度と同じ速度では縮小化されないので,パターン形成されたレジストのアスペクト比は増加する傾向にある。この傾向により,先進のレジスト性能は,しばしば,その解像度よりもパターンの破壊により制限される結果となる。ある程度のパターン破壊を軽減する戦略がうまく導入されても,その性能では完全に課題を解決することはできない。ここに我々は,無機レジストのパターン破壊を緩和する方法を発表する。この方法では,パターン破壊の根本原因であるウエハ乾燥中に発生する毛管力を,レジストを乾燥するのではなく高分子膜中に封じ込め,続いて処理されるドライエッチングプロセス中に除去することで,巧みに回避する。我々はこの手法により,自立するレジスト構造のアスペクト比をどれだけ増加でき,レジストパターン形成ではより少ないドーズに向けてプロセスウィンドウを広げることができるかを,超紫外線干渉リソグラフィーおよび電子ビームリソグラフィー双方について示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *パターン形成 ,  *破壊 ,  *対策 ,  回避 ,  アスペクト比 ,  増加 ,  *高分子膜 ,  *埋込み【挿入】 ,  生産プロセス ,  フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  光干渉 ,  リソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  高密度実装 ,  ポリメタクリル酸メチル
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  干渉リソグラフィー ,  軽減策

著者キーワード (8件)： Pattern collapse ,  Photoresist ,  Developing ,  EUV interference lithography ,  EUV lithography ,  Electron beam lithography ,  HSQ ,  PMMA

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高分子 ,  レジスト ,  破壊