特許

J-GLOBAL ID：201603000769356143

半導体装置

発明者： 宮永 昭治 ,  坂田 淳一郎 ,  坂倉 真之 ,  高橋 正弘 ,  岸田 英幸 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-033385
公開番号（公開出願番号）：特開2016-131252
出願日： 2016年02月24日
公開日（公表日）： 2016年07月21日
要約：

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】薄膜トランジスタが、絶縁表面上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と重なっており、なおかつ、酸化物半導体が有する一または複数の金属の濃度が、他の領域よりも高い層を含む酸化物半導体膜と、層に接するように酸化物半導体膜上に形成された一対の金属酸化膜と、該金属酸化膜に接するソース電極またはドレイン電極とを有する。そして、金属酸化膜は、ソース電極またはドレイン電極に含まれる金属が酸化することで形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電膜と、 前記第1の導電膜上の絶縁膜と、 前記絶縁膜上の、インジウムを含む酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜の第1の部分と重なる第2の導電膜と、 前記酸化物半導体膜の第2の部分と重なる第3の導電膜と、 前記酸化物半導体膜の第3の部分と接し、且つ前記第2の導電膜上面及び前記第3の導電膜上面と接する酸化物絶縁膜と、 前記酸化物絶縁膜上の第4の導電膜と、を有し、 前記第4の導電膜は、前記酸化物半導体膜と重なり、 前記第3の部分は、前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられ、 前記第3の部分は、チャネル形成領域を含み、 前記第1の部分と前記第2の導電膜との間には、前記第2の導電膜に含まれる金属の酸化物があり、 前記第2の部分と前記第3の導電膜との間には、前記第3の導電膜に含まれる金属の酸化物があり、 前記第1の部分は、前記酸化物半導体膜の上面を有する第1の領域と、前記第1の領域よりも前記第1の導電膜側に位置し、且つ前記酸化物半導体膜の下面を有する第2の領域とを有し、 前記第2の部分は、前記酸化物半導体膜の上面を有する第3の領域と、前記第3の領域よりも前記第1の導電膜側に位置し、且つ前記酸化物半導体膜の下面を有する第4の領域とを有し、 前記第1の領域のインジウムの濃度は、前記第2の領域のインジウムの濃度よりも高く、 前記第3の領域のインジウムの濃度は、前記第4の領域のインジウムの濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 617N

Fターム (76件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-042575   出願人：三星電子株式会社
• 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-502848   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-034171   出願人：三星電子株式会社
• 半導体機器及びその製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-540385   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学