特許
J-GLOBAL ID：201603001706912360
めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 森 秀行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065489
公開番号（公開出願番号）：特開2013-194306
特許番号：特許第5968657号
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板に形成された凹部に対してめっき処理を施すめっき処理方法において、
基板を準備する工程と、
基板上にめっき液を用いてめっき処理を施して、特定機能を有するめっき層を前記凹部の内面に形成する工程と、
基板を加熱してめっき層を焼きしめる工程と、
特定機能を有する前記めっき層が前記内面に形成された前記凹部に導電性材料を埋め込む工程と、を備え、
めっき層の形成工程とめっき層の焼きしめ工程を少なくとも二回以上繰り返すことにより、第1回目のめっき層の形成工程およびめっき層の焼きしめ工程により得られた第1めっき層と、第2回目のめっき層の形成工程およびめっき層の焼きしめ工程により得られた第2めっき層とからめっき層積層体を形成し、
第1回目のめっき層の形成工程および第2回目のめっき層の形成工程において、使用するめっき液の主成分は同一であり、めっき液の他の成分、めっき温度、およびめっき層の膜厚のうち、少なくとも1つは互いに異なり、第1回目のめっき層の焼きしめ工程において、第2回目のめっき層の焼きしめ工程よりも焼きしめ温度を高くし、焼きしめ時間を長くして水分を放出させることを特徴とするめっき処理方法。
IPC (3件)：
C23C 18/18 ( 200 6.01)
, C23C 18/16 ( 200 6.01)
, C25D 5/54 ( 200 6.01)
C23C 18/18
, C23C 18/16 B
, C25D 5/54
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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