特許
J-GLOBAL ID：200903019824847345

めっき基板、無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法

発明者：
三森 健一

三森 健一 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (7件)： 中尾 俊輔 ,  伊藤 高英 ,  畑中 芳実 ,  大倉 奈緒子 ,  玉利 房枝 ,  鈴木 健之 ,  磯田 志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247658
公開番号（公開出願番号）：特開2006-152431
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 各基材における鏡面状の被処理面に銅めっきを良好に密着させることができ、これにより、ファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、高周波特性が良好な回路を形成する。【解決手段】 塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて、ガラス成分を含有したセラミック基材に第1触媒層を形成する第1触媒工程と、セラミック基材を酸素を含む分域内において加熱する銅めっき前熱処理工程と、塩化錫溶液および塩化パラジウム溶液を用いて、セラミック基材に積層触媒層を形成する積層触媒処理工程と、セラミック基材に微量のニッケルイオンを含む銅めっき液を用いて銅めっき膜を形成するめっき処理工程と、セラミック基材をガラス転移温度以下の熱処理温度によって加熱する銅めっき後熱処理工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
酸化物を少なくとも表面に有するガラス基材或いはセラミック基材と、 微量のニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンのうち少なくとも1つを含む銅めっき液を用いて形成された銅めっき膜と、 前記各基材および前記銅めっき膜の間に介在し、前記各基材の基材成分、前記銅めっき膜のめっき膜成分、および塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて形成された触媒層の触媒成分からなる中間層とを有することを特徴とするめっき基板。
IPC (7件)：
C23C 18/18 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/288 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/38
FI (8件)：
C23C18/18 ,  C23C18/38 ,  H01L21/288 E ,  H05K1/09 C ,  H05K3/18 B ,  H05K3/18 F ,  H05K3/24 A ,  H05K3/38 B
Fターム (57件)：
4E351AA07 ,  4E351AA13 ,  4E351BB01 ,  4E351BB33 ,  4E351BB38 ,  4E351CC07 ,  4E351CC21 ,  4E351DD04 ,  4E351DD19 ,  4E351GG07 ,  4E351GG14 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA42 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022CA17 ,  4K022CA18 ,  4K022CA19 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022EA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD21 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343AA37 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343CC62 ,  5E343CC73 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33 ,  5E343EE02 ,  5E343EE14 ,  5E343ER02 ,  5E343ER05 ,  5E343ER12 ,  5E343ER18 ,  5E343ER32 ,  5E343GG02 ,  5E343GG08 ,  5E343GG13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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