特許
J-GLOBAL ID：201603002242139880
シリコンウェーハの熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196014
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084920
特許番号：特許第5997552号
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325°C以上1400°C以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して前記第1の最高到達温度を保持した後、50°C/秒以上250°C/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、
前記第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、900°C以上1250°C以下の範囲内の第2の最高到達温度まで1°C/分以上20°C/分以下の昇温速度で昇温して前記第2の最高到達温度を保持した後、降温する第2の熱処理を行う工程と、
を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/26 ( 200 6.01)
H01L 21/322 Y
, C30B 33/02
, H01L 21/26 F
, H01L 21/26 T
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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