シリコンウェーハ

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松山允之 , 池上徹真 , 須藤章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198681
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040588
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】 Grown-in欠陥の無欠陥化や、高いゲッタリング効果を備え、かつ、デバイス活性領域におけるBMDの析出を防止することができ、更に、デバイス活性領域の熱的強度を向上させることができるシリコンウェーハが提供される。【解決手段】本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ10の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域(DZ層)12内に固溶酸素濃度が0.7×1018atoms/cm3以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域12内には、格子間シリコン14が過飽和状態で含有されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域内に固溶酸素濃度が0.7×1018atoms/cm3以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、前記無欠陥領域内には、格子間シリコンが過飽和状態で含有されていることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/26 , C30B 29/06

FI (3件)：

H01L21/322 Y , H01L21/26 F , C30B29/06 A

Fターム (4件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

シリコンウェーハの熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-328794 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
シリコン基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-090709 出願人：新日本製鐵株式会社
シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-019920 出願人：三菱住友シリコン株式会社

審査官引用 (13件)

単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-007105 出願人：株式会社SUMCO
シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法とその熱処理装置並びにシリコン単結晶ウェーハとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-185923 出願人：住友シチックス株式会社
シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-118576 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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