特許
J-GLOBAL ID：200903083681401057
理想的酸素析出シリコンウエハにおいてデヌーデッドゾーン深さを制御する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
河宮 治
, 鮫島 睦
, 玄番 佐奈恵
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-585173
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522879
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
不均一な結晶格子空孔が存在し、そのピーク濃度はウエハの表面と仮想的中央平面との間のウエハバルク部にあるチョクラルスキー型単結晶シリコンウエハ及びその製造方法に関する。本質的にいずれか任意の電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルに付して、ウエハのウエハバルク部に酸素析出物を生じさせ、ウエハ表面の近くに酸素析出物を含まない薄い又は浅い領域を生じさせる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされるウエハであって、
前方表面、後方表面、前記前方表面と後方表面との間のほぼ等しい距離にある仮想的中央平面、前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離D1の部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有する前方表面層、及び、前記仮想的中央平面を含むが、前記前方表面層は含まないバルク層を有し、並びに、ピーク濃度が前記中央平面と前記前方表面層との間のバルク層にあって、その濃度は前記前方表面及び中央平面の両方へ向かって全体として低下する不均一な濃度の結晶格子空孔を有しており、
(i)距離D1は少なくとも約5ミクロンであるが約30ミクロン以下であって、(ii)約700°Cを越える温度での酸素析出熱処理に付されて、表面層は約1×107cm-3以下の酸素析出物を有するが、バルク層は約1×107cm-3以上の酸素析出物を有するウエハ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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