特許
J-GLOBAL ID:201603003964909628
多孔性シリコン系粒子、この製造方法、及びこれを含む負極活物質
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-550344
公開番号(公開出願番号):特表2016-508114
出願日: 2014年08月29日
公開日(公表日): 2016年03月17日
要約:
本発明は、SiまたはSiOx(0<x<2)粒子を含み、前記粒子は複数の非線形気孔を含み、前記非線形気孔は粒子表面で開気孔(open pores)に形成されている多孔性シリコン系粒子及びこの製造方法を提供する。本発明の一実施形態による多孔性シリコン系粒子は、SiまたはSiOx(0<x<2)粒子に複数の非線形気孔を形成させることにより、負極活物質スラリー内の分散をさらに容易にすることができ、電解液との副反応を最少化することができ、充放電時の体積膨張を減らすことができる。また、本発明の一実施形態によれば、前記多孔性シリコン系粒子を金属触媒の種類、この濃度及びエッチング時間などを調節することにより形成される気孔の模様、形態及び大きさを制御することができる。
請求項(抜粋):
SiまたはSiOx(0<x<2)粒子を含み、
前記粒子は、複数の非線形気孔を含み、
前記複数の非線形気孔は、粒子表面で開気孔(open pores)に形成されている多孔性シリコン系粒子。
IPC (7件):
C01B 33/02
, H01M 4/38
, H01M 4/48
, H01M 4/587
, H01M 4/36
, C01B 33/113
, C01B 33/021
FI (8件):
C01B33/02 Z
, H01M4/38 Z
, H01M4/48
, H01M4/587
, H01M4/36 E
, H01M4/36 C
, C01B33/113 A
, C01B33/021
Fターム (69件):
4G072AA01
, 4G072AA24
, 4G072BB05
, 4G072BB15
, 4G072DD03
, 4G072DD04
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ09
, 4G072JJ13
, 4G072JJ18
, 4G072JJ34
, 4G072JJ47
, 4G072KK01
, 4G072KK06
, 4G072LL07
, 4G072MM02
, 4G072MM03
, 4G072MM22
, 4G072MM23
, 4G072MM31
, 4G072MM35
, 4G072QQ06
, 4G072RR03
, 4G072RR04
, 4G072RR12
, 4G072RR15
, 4G072SS01
, 4G072SS04
, 4G072TT01
, 4G072TT02
, 4G072TT04
, 4G072TT06
, 4G072TT08
, 4G072UU30
, 5H050AA07
, 5H050AA19
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CA19
, 5H050CB02
, 5H050CB07
, 5H050CB08
, 5H050CB09
, 5H050CB11
, 5H050CB29
, 5H050EA10
, 5H050EA24
, 5H050FA13
, 5H050FA15
, 5H050FA17
, 5H050FA18
, 5H050GA02
, 5H050GA10
, 5H050GA12
, 5H050HA01
, 5H050HA02
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA06
, 5H050HA07
, 5H050HA09
, 5H050HA10
, 5H050HA14
, 5H050HA20
引用特許:
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