炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-052546
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187438
特許番号：特許第5914060号
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)炭化珪素半導体基板上に、前記炭化珪素半導体基板より不純物濃度の低いエピタキシャル層を形成する工程と、 (b)前記エピタキシャル層上に、複数の電極を形成する工程と、 (c)各前記電極に挟まれた前記エピタキシャル層上に、前記エピタキシャル層下面より深い溝を形成する工程と、 (d)前記電極の端部と、前記エピタキシャル層の端部および露出した側面とを少なくとも覆って、絶縁膜を形成する工程と、 (e)前記溝が形成された部分から、前記炭化珪素半導体基板を分断する工程とを備え、 (f)前記工程(d)の前に、前記炭化珪素半導体基板上および前記エピタキシャル層上を純水で洗浄する工程をさらに備えることを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/301 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 D , H01L 21/28 301 B , H01L 21/78 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-114020 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-071308 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社
ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322641 出願人：ソニー株式会社

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