特許
J-GLOBAL ID：201603006316825604

半導体装置及びその製造方法

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-190929
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063111
出願日： 2014年09月19日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：
【課題】高い移動度の半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、SiC層と、ゲート電極と、SiC層とゲート電極との間に設けられるゲート絶縁膜と、SiC層とゲート絶縁膜との間に設けられ、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)、H(水素)、D(重水素)、F(フッ素)の群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する第1の領域と、SiC層の第1の領域側に設けられ、元素の濃度よりも高い酸素濃度を有する第2の領域と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiC層と、 ゲート電極と、 前記SiC層と前記ゲート電極との間に設けられるゲート絶縁膜と、 前記SiC層と前記ゲート絶縁膜との間に設けられ、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)、H(水素)、D(重水素)、F(フッ素)の群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する第1の領域と、 前記SiC層の前記第1の領域側に設けられ、前記元素の濃度よりも高い酸素濃度を有する第2の領域と、 を備える半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/322 Z ,  H01L21/316 S
Fターム (13件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF59 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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