炭化珪素半導体を用いたMOS構造およびその酸化膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：峯岸武司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-141515
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008894
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】 SiO2/SiC界面における界面準位自体を低減することが出来るSiC半導体を用いたMOS構造、およびその酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 SiC半導体基板1を処理炉内に用意し、処理炉内を比較的低い700°Cに設定して、SiC半導体基板1の基板表面を酸素ガス雰囲気中にさらす。この熱酸化により、SiC半導体基板1の基板表面には、SiO2から成る中間層2が約1nmの極薄い厚さで形成される。次に、中間層2上にSiO2膜を約50nmの厚さに堆積して、SiO2から成る堆積層3を形成する。次に、SiC半導体基板1が酸化しない温度および時間で、堆積層3をアニーリングする。このアニーリングは、赤外線ランプなどの急速加熱装置により、SiO2膜の融点である1200°Cに近い、この1200°Cの融点よりも低い例えば1000〜1100°C程度の温度で、短時間に急速に行われる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体層との間に界面層が形成されることのない厚さで前記炭化珪素半導体層上に形成された二酸化珪素から成る中間層と、前記中間層上に形成された二酸化珪素から成る堆積層とから酸化膜が構成される炭化珪素半導体を用いたMOS構造。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (11件)：

H01L21/316 M , H01L21/316 X , H01L21/316 S , H01L21/316 P , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 301B , H01L29/78 652K , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L29/58 G

Fターム (34件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF55 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG37 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (10件)

酸化薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-218774 出願人：工業技術院長
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-518224 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-108822 出願人：松下電器産業株式会社

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