特許
J-GLOBAL ID：201603006870892240

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
梅崎 敦司

梅崎 敦司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-033058
公開番号（公開出願番号）：特開2016-129242
出願日： 2016年02月24日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
要約：
【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用い、かつゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる酸化物半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上の第1の導電層と、 前記基板上の第2の導電層と、 前記第1の導電層上及び前記第2の導電層上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上において、前記第1の導電層と重なる領域を有する第1の層と、 前記第1の絶縁膜上において、前記第2の導電層と重なる領域を有する第2の層と、 前記第1の層の上面に接する領域を有し、且つ前記第1の層よりも導電率が高い第3の層と、 前記第2の層の上面に接する領域を有し、且つ前記第2の層よりも導電率が高い第4の層と、 前記第3の層の上面に接する領域を有する第3の導電層と、を有し、 前記第1の導電層及び前記第2の導電層は、同層に設けられ、且つ同じ材料を有し、 前記第1の層及び前記第2の層の各々は、In、Ga、Znを含む酸化物半導体を有し、 前記第3の導電層は、前記第4の層の上面と接する領域を有し、 前記第3の導電層は、前記第1の絶縁膜に設けられた開口を介して、前記第2の導電層の上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08
FI (4件)：
H01L27/08 311A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B ,  H01L27/08 331E
Fターム (81件)：
5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC02 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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