特許
J-GLOBAL ID：201603006991191916

基板を清浄化するためのプロセスガスの生成

発明者：
ブラウン,イアン,ジェイ

ブラウン,イアン,ジェイ について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

, 
トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-535666
公開番号（公開出願番号）：特表2015-537372
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年12月24日
要約：
前処理システムシステムと湿式清浄化システムを有する清浄化システム(902,1004)によって基板(6,14,224,932)を清浄化する方法及びシステムが供される。前記前処理システムの1つ以上の目標が選択される。UV照射量、基板温度、酸素分圧、酸素とオゾンの分圧、及び/又は全圧力を含む2つ以上の前処理操作変数が、度量衡測定を利用することによって、前記前処理目標を満足するように最適化される。前記基板(6,14,224,932)は、清浄化される層(204,208)とk値を有する下地の誘電層(212)を有する。酸素及び/又はオゾンを含む前処理ガスが、前記基板(6,14,224,932)の表面上に供給され、かつ、UV装置によって照射される。その結果酸素ラジカルが生成される。前記基板(6,14,224,932)のk値の変化が前記基板の用途向けに設定された範囲内であることを保証するため、前処理プロセスにおける前記基板(6,14,224,932)の清浄化は、100%未満で設定される。
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ及びガス供給サブシステムを有する前処理システム並びに湿式清浄化システムを有する清浄化システムによって基板を清浄化する方法であって: 前記前処理システム用に1つ以上の前処理目標を選択する工程; 2つ以上の前処理目標を実現するために最適化される2つ以上の前処理操作変数を選択する工程; 清浄化される層及びk値を有する下地の誘電層を有する処理用の基板を供する工程; 前記ガス供給サブシステムを用いることによって、前記プロセスチャンバ内の前記基板の表面に前処理ガスを供給する工程; 1つ以上の波長の範囲と紫外(UV)照射量を有するUV装置によって前記前処理ガスに照射することで、前記基板の前処理のためのラジカルを生成する工程であって、前記照射は前処理の第1プロセス期間中に完了する、工程; 前記前処理システム内での行われた2つ以上の度量衡測定を用いて前記の選択された2つ以上の前処理変数を制御する工程; を含む前処理プロセスを有し、 前記前処理ガスは酸素又は酸素とオゾンを含み、 前記2つ以上の前処理操作変数は、前記UV照射量、基板温度、第1プロセス期間、酸素分圧、酸素とオゾンの分圧、及び/又は全プロセスガスの圧力を含み、かつ、 前記2つ以上の前処理目標は、100%未満の前処理清浄化割合を含む、 方法。
IPC (1件)：
H01L 21/304
FI (1件)：
H01L21/304 645D
Fターム (7件)：
5F157AA42 ,  5F157AB02 ,  5F157AC01 ,  5F157BG03 ,  5F157BG04 ,  5F157BG43 ,  5F157CF42
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM