特許
J-GLOBAL ID：201603007118696633

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
笹島 亮太

笹島 亮太 について

, 
中村 吉延

中村 吉延 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179926
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038923
特許番号：特許第6030378号
出願日： 2012年08月14日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板に対して所定元素含有ガスを供給する工程と、 前記基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、 前記基板に対して酸化ガスを供給する工程と、 前記基板に対して窒化ガスを供給する工程と、 を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、酸素、炭素および窒素を含む薄膜を形成する工程を有し、 前記薄膜を形成する工程では、前記所定元素含有ガスを供給する工程を行う前に、前記窒化ガスを供給する工程を行うようにし、この窒化ガスを供給する工程を行った後、前記所定元素含有ガスを供給する工程を行うまでの間において、前記炭素含有ガスを供給する工程および前記酸化ガスを供給する工程を行わないようにする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/42
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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