特許

J-GLOBAL ID：201603007162369623

順列メモリセル

発明者： シルス,スコット イー.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-511609
特許番号：特許第6019220号
出願日： 2013年05月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の抵抗変化メモリ(RCM)セルであって、六方最密充填アレイを平面的に構成するように配置された、複数のRCMセルと、 前記複数のRCMセルにそれぞれ電気的に連結された複数の電気接点と、 前記複数の電気接点の中の複数の隣り合う電気接点セット間に配置されたメモリセル材料であって、前記複数の隣り合う電気接点セット間に導電経路を形成することが可能である、メモリセル材料と、 を備える、装置。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (7件)：

G11C 13/00 270 Z ,  G11C 13/00 400 B ,  G11C 13/00 480 J ,  G11C 13/00 230 ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 27/10 448

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-068136   出願人：株式会社東芝
• プログラム可能な不揮発性抵抗切り替えデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-286184   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-311610   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-242653   出願人：ソニー株式会社