特許
J-GLOBAL ID：201103009425261054
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068136
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204744
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】単位面積当たりの記憶容量を増加させることのできる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、内部の導電パスPの有無により情報を記憶する誘電体膜と、誘電体膜の第1の面に接するように設けられた複数の電極EL1〜EL4とを備える。導電パスPは、複数の電極EL1〜EL4のうちの任意に選択された2つの電極間に形成可能であるとともに、導電パスPは、任意の2つの電極間をつなぐ第1の方向には、第1の方向と反対の第2の方向に比べて、電流を流しやすい整流性を有する。導電パスPの数は、複数の電極EL1〜EL4の数よりも大きい。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
内部の導電パスの有無により情報を記憶する誘電体膜と、
前記誘電体膜の第1の面に接するように設けられた複数の電極とを備え、
前記導電パスは、前記複数の電極のうちの任意に選択された2つの電極間に形成可能であるとともに、
前記導電パスは、任意の2つの電極間をつなぐ第1の方向には、前記第1の方向と反対の第2の方向に比べて、電流を流しやすい整流性を有し、
前記導電パスが形成され得る最大の数は、前記複数の電極の数よりも大きい
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, G11C 13/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA10
, 5F083MA06
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083ZA21
