特許
J-GLOBAL ID：201603007218918161
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173294
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175702
特許番号：特許第5983162号
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に成膜されたシリコン、炭素、水素及び酸素を含む絶縁膜であって、その底部に下層側の導電路が露出している埋め込み用の凹部が形成され、その表面が疎水性である絶縁膜に対して、ホウ素化合物ガスを供給して前記絶縁膜の表面にホウ素原子を吸着させる工程と、
前記ホウ素原子が吸着された前記絶縁膜の表面にルテニウム(Ru)膜からなる密着膜を直接形成する工程と、
しかる後、前記凹部内に導電路となる銅を埋め込む工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C23C 16/02 ( 200 6.01)
H01L 21/28 A
, H01L 21/88 R
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301
, H01L 21/90 A
, C23C 16/02
