特許
J-GLOBAL ID：200903068780470363

半導体装置の製造方法

発明者：
座間 秀昭

座間 秀昭 について

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石川 道夫

石川 道夫 について

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角田 巧

角田 巧 について

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長谷川 千尋

長谷川 千尋 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について

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宇部興産株式会社

宇部興産株式会社 について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226433
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081432
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】一般式(1)で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるCVD法によって、凹部が形成された基板の上にRu膜を形成する(ステップS12)。そして、一般式(2)で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるCVD法によって、Ru膜の上にCu膜を形成し、凹部に銅配線を形成する(ステップS14)。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
銅配線を有する半導体装置の製造方法であって、 凹部が形成された対象物上に、一般式(1)(式中、R1は、炭素原子数1〜4の直鎖又は分岐状のアルキル基を示す。)で示される有機ルテニウム錯体と第一還元性ガスとを用いるCVD法によってルテニウム含有膜を形成する工程と、
IPC (5件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C23C 16/18
FI (5件)：
H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 R ,  C23C16/18
Fターム (41件)：
4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP11 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-364082   出願人：ソニー株式会社
  • 金属膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-031334   出願人：JSR株式会社
審査官引用 (5件)
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