特許
J-GLOBAL ID：201603007625277421

電子デバイス及びその製造方法

発明者：
小林 健

小林 健 について

, 
伊藤 寿浩

伊藤 寿浩 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-163591
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039343
出願日： 2014年08月11日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：
【課題】構造体サイズの制約なく、材料の特殊な処理をすることなく、薄いシリコン構造体を回路基板上に簡便に転写する。【解決手段】電子デバイス10は、中央部がくり抜かれて開口部12が形成された四角枠形状の基板11と、基板11の開口部12上に大部分が架け渡されており、その両端の一部分のみが基板11上に接続するように形成された、基板11よりも薄い偏平な直方体形状のシリコン構造体13とより大略構成されている。シリコン構造体13上には、薄い酸化膜を介して下部電極14が形成され、その上に所定の機能を実現するための機能性素子の一例としての圧電薄膜15、上部電極16が積層されている。更に電極パッド17aと電極パッド17bが形成されている。シリコン構造体13は基板11から剥離されてフレキシブル回路基板31に接着・転写されて、新たな電子デバイス30を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 所定の機能を実現するための機能性素子と、前記機能性素子の入力信号又は出力信号用電極と、前記電極用の電極パッドとが形成されており、前記基板の厚さよりも薄く、かつ、前記基板に少なくとも一部が支持された構造体と、 を備えることを特徴とする電子デバイス。
IPC (5件)：
H01L 41/053 ,  B81B 7/02 ,  H01L 41/313 ,  H01L 41/113 ,  B81C 3/00
FI (5件)：
H01L41/053 ,  B81B7/02 ,  H01L41/313 ,  H01L41/113 ,  B81C3/00
Fターム (20件)：
3C081AA17 ,  3C081BA04 ,  3C081BA22 ,  3C081BA32 ,  3C081BA43 ,  3C081BA44 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081BA55 ,  3C081CA05 ,  3C081CA13 ,  3C081CA14 ,  3C081CA18 ,  3C081CA32 ,  3C081DA04 ,  3C081DA10 ,  3C081DA28 ,  3C081DA41 ,  3C081EA01 ,  3C081EA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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