特許
J-GLOBAL ID：201603007760099592
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重泉 達志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-073152
公開番号（公開出願番号）：特開2016-146502
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
要約：
【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。【解決手段】半導体発光素子において、基板の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面と、基板の裏面側に形成され回折面にて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面と、を備えるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む半導体積層部と、
前記発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、を備え、
前記凹部又は前記凸部の周期は、前記光学波長の1倍を超えて2倍以下、又は、3倍以上5倍以下である半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F241AA04
, 5F241AA40
, 5F241CA04
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA65
, 5F241CA67
, 5F241CA74
, 5F241CA85
, 5F241CA87
, 5F241CA88
, 5F241CB03
, 5F241CB15
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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