特許
J-GLOBAL ID：201603007776065221

ダイオード、半導体装置およびMOSFET

発明者：
山下 侑佑

山下 侑佑 について

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町田 悟

町田 悟 について

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杉山 隆英

杉山 隆英 について

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斎藤 順

斎藤 順 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-153160
公開番号（公開出願番号）：特開2016-006891
出願日： 2015年08月03日
公開日（公表日）： 2016年01月14日
要約：
【課題】ダイオードにおけるスイッチング時の損失を低減することが可能な技術を提供する。【解決手段】ダイオード2は、カソード電極20と、第1導電型の半導体からなるカソード領域6と、低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト領域10と、第2導電型の半導体からなるアノード領域14と、金属からなるアノード電極22を備えている。ダイオード2は、ドリフト領域10とアノード領域14の間に形成された、ドリフト領域10よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるバリア領域12と、バリア領域12とアノード電極22を接続するように形成された、バリア領域12よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるピラー領域16を備えている。ダイオード2では、ピラー領域16とアノード電極22がショットキー接合している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
カソード電極と、第1導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト領域と、第2導電型の半導体からなるアノード領域と、金属からなるアノード電極を備えるダイオードであって、 前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるバリア領域と、 前記バリア領域と前記アノード電極を接続するように形成された、前記バリア領域よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるピラー領域を備えており、 前記ピラー領域と前記アノード電極がショットキー接合していることを特徴とするダイオード。
IPC (13件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06
FI (21件)：
H01L29/91 C ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 L ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/44 L ,  H01L29/50 M ,  H01L29/48 F ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102D
Fターム (32件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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