特許
J-GLOBAL ID：200903001695511304

半導体装置とその半導体装置を備えている給電装置の駆動方法

発明者：
添野 明高

添野 明高 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-317344
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141202
出願日： 2007年12月07日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】逆導通型の半導体装置の他の特性を劣化させないでダイオード素子領域のリカバリ損失を低減化する技術を提供する。【解決手段】逆導通型の半導体装置B1では、IGBT素子領域J1に形成されているn+型のトレンチゲート電極隣接領域20が、ダイオード素子領域J2に形成されていない。また、ダイオード素子領域J2のp型のアノード層50の不純物濃度が、IGBT素子領域J1のp型のボディ層30の不純物濃度と比較して低い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一半導体基板にIGBT素子領域とダイオード素子領域が混在している半導体装置であり、 IGBT素子領域では、p型のコレクタ層とn型のドリフト層とp型のボディ層が順に積層されており、前記半導体基板の表面から前記ボディ層を貫通して前記ドリフト層まで伸びている絶縁トレンチゲート電極が形成されており、その絶縁トレンチゲート電極に接しているとともに前記表面に臨む範囲にn型のトレンチゲート電極隣接領域が形成されており、そのトレンチゲート電極隣接領域が前記ボディ層によって前記ドリフト層から分離されており、 ダイオード素子領域では、n型のカソード層と前記n型のドリフト層とp型のアノード層が順に積層されており、前記表面から前記アノード層を貫通して前記ドリフト層まで伸びている絶縁トレンチゲート電極が形成されており、前記表面に臨む範囲にp型のアノード領域が形成されており、そのアノード領域が前記アノード層によって前記ドリフト層から分離されており、 ダイオード素子領域では、前記のn型のトレンチゲート電極隣接領域が形成されておらず、しかも、前記アノード層の不純物濃度が前記ボディ層の不純物濃度よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (4件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652J
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-079155   出願人：株式会社デンソー
  • 絶縁ゲート型トランジスタ及びインバータ回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-115077   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-322900   出願人：株式会社デンソー
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