特許
J-GLOBAL ID：201603007906897852

半導体装置

発明者：
山本 祐広

山本 祐広 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社

エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018754
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150190
特許番号：特許第6027452号
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ボンディングパッドを有する半導体装置であって、 第一層間絶縁膜上の第一金属膜と、 前記第一金属膜上の第二層間絶縁膜と、 前記第二層間絶縁膜を貫通して形成された金属プラグと、 前記第二層間絶縁膜上に前記金属プラグを介して電気的に接続して設けられた第二金属膜からなる前記ボンディングパッドと、 を備え、 前記金属プラグは大径の第一金属プラグを含み、前記第一金属プラグに前記第二金属膜が入り込むことで、前記第一金属プラグ直上の前記ボンディングパッドの表面には凹部が形成されており、前記金属プラグは、前記ボンディングパッドの角部方向を除き、前記ボンディングパッド領域内で同心円状に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/88 T ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/60 301 P
引用特許：
審査官引用 (6件)
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