特許

J-GLOBAL ID：201603008207476066

薄膜半導体発光装置

発明者： 青山 隆 ,  山口 博之 ,  小宮山 崇夫 ,  長南 安紀
出願人/特許権者： 公立大学法人秋田県立大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-162153
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039277
出願日： 2014年08月08日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】天然資源が豊かで、材料コスト、及びプロセスコストが安価な酸化亜鉛を用いた発光素子により、効率よく紫外と青色の光を発光させる半導体ヘテロ接合構造を提供する。【解決手段】発光素子をn-ZnO/Si3N4/NiO/p-Siヘテロ構造として、順バイアス電圧が印加されたとき、酸化亜鉛からシリコン側への電子の注入を抑制しながら、シリコン側から、直接、酸化亜鉛の価電子帯へ正孔を注入して、紫外、及び青色発光を生じさせる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛とシリコンのヘテロ接合における接合界面に、電子親和力が1.5eV以下の材料及び、電子親和力とバンドギャップのエネルギーの和が7.7eV以上の材料の少なくとも2つを挿入したことを特徴とする薄膜半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/28

FI (1件)：

H01L33/00 182

Fターム (10件)：

5F141AA04 ,  5F141CA03 ,  5F141CA41 ,  5F141CA67 ,  5F141CB36 ,  5F241AA04 ,  5F241CA03 ,  5F241CA41 ,  5F241CA67 ,  5F241CB36