特許
J-GLOBAL ID：201603008573323957
ダイオード領域用のゲート電極とコンタクト構造とを含んでいるトレンチ構造を備えた半導体デバイス
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 前川 純一
, 二宮 浩康
, 上島 類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-041283
公開番号（公開出願番号）：特開2016-163049
出願日： 2016年03月03日
公開日（公表日）： 2016年09月05日
要約：
【課題】半導体デバイス(500)は、第1の表面(101)から半導体デバイス(100)内へ延在する複数のトレンチ構造(350)を含んでいる。【解決手段】トレンチ構造(350)はそれぞれ、ゲート構造(150)と、ゲート構造(150)を通って延在するコンタクト構造(315)とを含んでいる。トランジスタメサ部(170)は、これらのトレンチ構造(350)の間に設けられている。各トランジスタメサ部(170)はボディゾーン(115)を含んでおり、このボディゾーン(115)は、ドリフト構造(120)と第1のpn接合部(pn1)を形成し、ソースゾーン(110)と第2のpn接合部(pn2)を形成する。ダイオード領域(116)はそれぞれ、直接的に、複数のコンタクト構造(315)のうちの1つと隣接し、かつ、ドリフト構造(120)と第3のpn接合部(pn3)を形成する。【選択図】図2B
請求項（抜粋）：
複数のトレンチ構造(350)と複数のトランジスタメサ部(170)と複数のダイオード領域(116)とを有する半導体デバイスであって、
前記トレンチ構造(350)はそれぞれ、第1の表面(101)から半導体ボディ(100)内へ延在し、かつ、ゲート構造(150)と、前記ゲート構造(150)を通って延在するコンタクト構造(315)と、を含んでおり、
前記トランジスタメサ部(170)は、前記複数のトレンチ構造(350)の間に設けられており、各トランジスタメサ部(170)は、ボディゾーン(115)を含んでおり、前記ボディゾーン(115)は、ドリフト構造(120)とともに第1のpn接合部(pn1)を形成し、かつ、ソースゾーン(110)とともに第2のpn接合部(pn2)を形成し、
前記ダイオード領域(116)はそれぞれ、直接的に、前記複数のコンタクト構造(315)のうちの1つと隣接し、かつ、前記ドリフト構造(120)とともに第3のpn接合部(pn3)を形成し、前記ドリフト構造(120)は、ドリフトゾーン(121)と電流拡散ゾーン(122)とを含んでおり、前記電流拡散ゾーン(122)は、前記第2のpn接合部(pn2)を形成し、前記電流拡散ゾーン(122)における平均ドーパント濃度は、前記ドリフトゾーン(121)における平均ドーパント濃度の少なくとも2倍である、
ことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 21/336
, H01L 29/872
H01L29/78 652J
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652M
, H01L29/91 C
, H01L29/91 F
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 658A
, H01L29/86 301D
