特許
J-GLOBAL ID：201603008684982097

積層構造体および半導体装置

発明者：
織田 真也

織田 真也 について

, 
徳田 梨絵

徳田 梨絵 について

, 
人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131160
公開番号（公開出願番号）：特開2016-199466
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：
【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造体を提供する【解決手段】結晶基板の主面が、a面、m面またはr面であって、主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層して、電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造体を得る。そして、積層構造体の結晶性酸化物半導体膜を半導体装置に用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜が積層されている積層構造体であって、結晶基板の主面がm面であり、結晶性酸化物半導体膜の膜厚が2.2μm以上であることを特徴とする積層構造体。
IPC (5件)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368
FI (5件)：
C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z
Fターム (68件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA03 ,  4K030LA12 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE01 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB05 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK01 ,  5F053KK02 ,  5F053KK10 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053LL04 ,  5F053LL10
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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