特許
J-GLOBAL ID：201403031835427747

酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置

発明者：
中村 有水

中村 有水 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 熊本大学

国立大学法人 熊本大学 について


代理人 (2件)： 加藤 久 ,  久保山 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033503
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063973
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：
【課題】安価にサファイア基板の非極性面に酸化亜鉛結晶層を形成する方法を提供する。【解決手段】酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛からなる層を形成するミスト化学気相成長法によって、表面の結晶面がa面又はm面であるサファイア基板上に酸化亜鉛を結晶成長させる酸化亜鉛結晶層の製造方法。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛からなる層を形成するミスト化学気相成長法によって、表面の結晶面がa面又はm面であるサファイア基板上に酸化亜鉛を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/365 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16
FI (3件)：
H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16
Fターム (56件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BB07 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG14 ,  4G077EG16 ,  4G077EG21 ,  4G077EG23 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4K030AA03 ,  4K030BA47 ,  4K030BB04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030KA24 ,  4K030LA18 ,  5F045AA00 ,  5F045AB22 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045CA11 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045DP28 ,  5F045EE02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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