特許
J-GLOBAL ID:200903042084539260

マスクブランク及びフォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-095312
公開番号(公開出願番号):特開2007-271774
出願日: 2006年03月30日
公開日(公表日): 2007年10月18日
要約:
【課題】FPD用のフォトマスクに適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】FPDデバイスを製造するためのマスクブランク10であって、基板12と、金属シリサイドを材料として基板12上に形成された遮光膜14と、酸化又は酸窒化された金属シリサイドを材料として遮光膜14の上に形成された上層膜16とを備え、遮光膜14及び上層膜16は、上層膜16上に形成されるレジスト膜18をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、レジスト膜18は、上層膜16上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、上層膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて形成され、上層膜16の膜厚は、50〜300オングストロームである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
FPDデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 基板と、 金属シリサイドを材料として前記基板上に形成された遮光膜と、 酸化又は酸窒化された金属シリサイドを材料として前記遮光膜上に形成された上層膜と を備え、 前記遮光膜及び前記上層膜は、前記上層膜上に形成されるレジスト膜をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、 前記レジスト膜は、前記上層膜上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記上層膜表面に対して前記一方向に交差する方向へ前記ノズルを相対移動させて形成され、 前記上層膜の膜厚は、50〜300オングストロームであることを特徴とするマスクブランク。
IPC (1件):
G03F 1/08
FI (1件):
G03F1/08 G
Fターム (7件):
2H095BA12 ,  2H095BB14 ,  2H095BB25 ,  2H095BC01 ,  2H095BC05 ,  2H095BC11 ,  2H095BC22
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特公平3-66656号公報
  • 特開平1-142637号公報
  • 特開平3-116147号公報
審査官引用 (15件)
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