特許
J-GLOBAL ID：201603009134851803
連続鋳造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 茂
, 森 和弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-226732
公開番号（公開出願番号）：特開2014-076481
特許番号：特許第6036144号
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】磁極の中心が浸漬ノズルの吐出孔よりも上方側に位置する、鋳型長辺を挟んで対向する1対の上部磁極と、磁極の中心が浸漬ノズルの吐出孔よりも下方側に位置する、鋳型長辺を挟んで対向する1対の下部磁極とを鋳型長辺の背面に備え、前記下部磁極からスラブ鋳片全幅に亘る直流静磁場を印加し、且つ、前記上部磁極からスラブ鋳片全幅に亘る直流静磁場と、スラブ鋳片全幅に亘る交流移動磁場とを、重畳して印加する連続鋳造設備であって、
前記上部磁極の直流静磁場を印加するための直流電磁石が鋳型の幅方向で4つに分割されており、分割されたそれぞれの直流電磁石で、該直流電磁石から印加する磁束密度が独立して変更可能なように構成されている連続鋳造設備を用いて溶鋼を連続鋳造する際に、前記下部磁極から印加する直流静磁場の磁束密度を磁束密度A(テスラ)、前記上部磁極の4つに分割した直流電磁石のうちの両端部側の2個の直流電磁石から印加する直流静磁場の磁束密度を磁束密度B(テスラ)、前記上部磁極の4つに分割した直流電磁石のうちの中央部側の2個の直流電磁石から印加する直流静磁場の磁束密度を磁束密度C(テスラ)としたとき、磁束密度A、磁束密度B、磁束密度Cが下記の(1)式及び(2)式を同時に満足するように、それぞれの磁束密度を調整して印加することを特徴とする連続鋳造方法。
0.40≦磁束密度C/磁束密度A≦0.90・・・(1)
0.30≦磁束密度B/磁束密度C≦0.80・・・(2)
IPC (2件)：
B22D 11/11 ( 200 6.01)
, B22D 11/115 ( 200 6.01)
B22D 11/11 D
, B22D 11/115 B
, B22D 11/115 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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