特許
J-GLOBAL ID：201603009223616109
GaNバルク結晶
出願人/特許権者：
三菱化学株式会社
三菱化学株式会社 について
代理人 (7件)： 川口 嘉之 , 松倉 秀実 , 高田 大輔 , 佐貫 伸一 , 丹羽 武司 , 香坂 薫 , 下田 俊明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081735
公開番号（公開出願番号）：特開2013-209260
特許番号：特許第5949064号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 非極性面または半極性面を主面とするGaN下地基板上に成長させたGaN結晶からなるGaNバルク結晶であって、
該GaN結晶の(100)面X線逆格子マッピングにより得られる等強度線図から導き出される、最大強度を含むQx方向の強度プロファイルにおいて、ピーク強度値に対して1/300強度値を示すQx幅が6×10-4rlu以下である
ことを特徴とするGaNバルク結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報 出願番号：特願2008-297173 出願人：三菱化学株式会社 -
太陽電池パネル端部用粘着シール材、太陽電池パネルの端部の封止構造、封止方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2009-239913 出願人：日東電工株式会社 -
ミスカット基板上に成長した平面型非極性M平面III族窒化物薄膜
公報種別：公表公報 出願番号：特願2010-520332 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
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