特許
J-GLOBAL ID：201603010431298291

フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
笠原 一樹

笠原 一樹 について

, 
池田 憲彦

池田 憲彦 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 一規
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-536304
特許番号：特許第6007913号
出願日： 2012年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 [A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及び [B]酸発生体 を含有し、 [B]酸発生体から発生する酸のファンデルワールス体積が、2.1×10-28m3以上であるフォトレジスト組成物。 (式(1)中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基若しくは炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はR2及びR3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される炭素数3〜20の環構造を表す。但し、R2及びR3が共にヒドロキシ基である場合はない。R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はR4及びR5が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される炭素数3〜20の環構造を表す。但し、R2、R3、R4及びR5のうち少なくとも1つが炭素数1〜20の1価の有機基であり、この1価の有機基が、ヘテロ原子及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む。nは、1〜4の整数である。nが2以上の場合、複数のR2及びR3はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。)
IPC (2件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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