特許
J-GLOBAL ID：201603010494963686
イオン源の運転方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-117597
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164894
出願日： 2016年06月14日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：
【課題】プラズマ生成室の周囲に永久磁石が配置されるバケット型イオン源で、イオン源ISから引出されるイオンビーム中に含まれる所望イオンの比率を向上する。【解決手段】プラズマ生成室6の周囲にカスプ磁場生成用の磁石10を備え、プラズマ生成室6内でのカソード位置の変更可能なイオン源ISで、プラズマ生成室6に導入されるP型、N型の半導体素子を製造するためのイオン化ガスの種類に応じて、カソード位置を変更する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室の周囲にカスプ磁場生成用の磁石を備え、前記プラズマ生成室内でのカソード位置の変更可能なイオン源であって、
前記プラズマ生成室に導入されるP型、N型の半導体素子を製造するためのイオン化ガスの種類に応じて、前記カソード位置を変更し、前記プラズマ生成室の内壁からの距離を異ならせるイオン源の運転方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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