特許
J-GLOBAL ID：201603010562060657
半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-242892
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062522
特許番号：特許第6029419号
出願日： 2012年11月02日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、過塩素酸アンモニウムと水とからなるか、過塩素酸アンモニウムと、水と、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又は水溶性塩基とからなるか、過塩素酸アンモニウムと、水と、フッ素化合物とからなり、前記半導体基板は配線材料として銅を有し層間絶縁材料として低誘電率膜(Low-k膜)を有する半導体基板である、残渣除去液。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 647 A
, H01L 21/302 102
, H01L 21/90 A
