特許
J-GLOBAL ID：200903030522103286

デバイス基板用の洗浄組成物及び該洗浄組成物を用いた洗浄方法並びに洗浄装置

発明者：
中村 彰信

中村 彰信 について

, 
平野 啓二

平野 啓二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008181
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217814
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。【解決手段】1分子中に少なくとも1つの水酸基を有し、且つHLBが3以上12未満の非イオン界面活性剤と、HLBが12以上20以下の非イオン界面活性剤とを含有し、25°Cにおける水素電極基準の酸化還元電位が略-1200mV以上100mV以下または略400mV以上1200mV以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
1分子中に少なくとも1つの水酸基を有し、HLBが3以上12未満の非イオン界面活性剤と、HLBが12以上20以下の非イオン界面活性剤とを含むHLB値の異なる2種以上の非イオン界面活性剤を含有することを特徴とするデバイス基板用の洗浄組成物。
IPC (7件)：
C11D1/72 ,  B08B3/00 ,  C11D1/68 ,  C11D1/70 ,  C11D1/74 ,  C11D3/28 ,  H01L21/304
FI (8件)：
C11D1/72 ,  B08B3/00 ,  C11D1/68 ,  C11D1/70 ,  C11D1/74 ,  C11D3/28 ,  H01L21/304 641 ,  H01L21/304 647B
Fターム (19件)：
3B201AA03 ,  3B201BA02 ,  3B201BB21 ,  3B201BB83 ,  3B201BB92 ,  3B201CD41 ,  4H003AA03 ,  4H003AB31 ,  4H003AB46 ,  4H003AC03 ,  4H003AC08 ,  4H003AC11 ,  4H003AC12 ,  4H003BA20 ,  4H003DA15 ,  4H003EA31 ,  4H003EB04 ,  4H003EB19 ,  4H003FA28
引用特許：
審査官引用 (6件)
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