特許
J-GLOBAL ID：201603011050006541
基板貫通相互接続を有する半導体構成と、基板貫通相互接続を形成する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野村 泰久
, 大菅 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-514461
特許番号：特許第5989104号
出願日： 2012年05月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板を通して導電性相互接続を形成する方法であって、
前記半導体基板の第1の面から、前記半導体基板を通って途中まで伸びる第1の開口部を形成することと、
前記導電性相互接続の第1の部分を前記第1の開口部内に形成することと、
前記半導体基板の第2の面から前記導電性相互接続の前記第1の部分まで延びる少なくとも1つの第2の開口部を形成することと、
前記少なくとも1つの第2の開口部内に、前記導電性相互接続の第2の部分を形成することと、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 21/88 J
, H01L 21/88 T
, H01L 23/12 501 P
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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