コバルト含有基板の化学的機械的研磨(CMP)

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 蛯谷厚志 , 胡田尚則 , 出野知 , 木村健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-146415
公開番号（公開出願番号）：特開2016-030831
出願日： 2015年07月24日
公開日（公表日）： 2016年03月07日
要約：

【課題】コバルト又はコバルト含有基板を研磨するための化学的機械的研磨(CMP)組成物、方法及びシステムを提供する。【解決手段】CMPプロセスの間の効率的なCo腐食保護のためにCo膜表面上で低い静的エッチ速度を有するとともに、高い調節可能なCo除去速度を提供するユニークな相乗効果を達成するために、デュアルキレート化剤又は少なくとも2種のキレート化剤を錯化剤としてCMP研磨組成物中に使用した。コバルト化学的機械的研磨組成物は、また、Co膜vs.他のバリア層、例えば、Ta、TaN、Ti及びTiN、及び、誘電体膜、例えば、TEOS、SiNx、低-k及び超低-k膜の非常に高い選択性を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コバルト含有基板のための化学的機械的研磨(CMP)研磨組成物であって、 0.005wt%〜25wt%の研磨剤、 0.05wt%〜10wt%の、少なくとも2種のアミノ酸、少なくとも2種のアミノ酸誘導体、又は、少なくとも1種のアミノ酸及び少なくとも1種のアミノ酸誘導体からなる群より典型的には選ばれる少なくとも2種のキレート化剤、を含み、残部は実質的にDI水であり、場合により、 0.0005wt%〜0.25wt%の腐食防止剤又は欠陥低減剤としての化学添加剤、 0.01wt%〜0.5wt%のpH調節剤、 0.1wt%〜10wt%の酸化剤、 0.0001wt%〜0.10wt%の殺生物剤、及び、 0.01wt%〜0.05wt%の界面活性剤、を含み、前記化学的機械的研磨(CMP)研磨組成物はpHが2.0〜12である、組成物。

IPC (4件)：

C09K 3/14 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09G 1/02

FI (7件)：

C09K3/14 550Z , H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550F , C09G1/02

Fターム (45件)：

3C158AA07 , 3C158AA09 , 3C158CA04 , 3C158CB10 , 3C158DA02 , 3C158DA12 , 3C158DA17 , 3C158EA11 , 3C158EB01 , 3C158ED02 , 3C158ED08 , 3C158ED09 , 3C158ED10 , 3C158ED11 , 3C158ED12 , 3C158ED21 , 3C158ED23 , 3C158ED24 , 3C158ED26 , 5F057AA08 , 5F057AA14 , 5F057AA17 , 5F057AA28 , 5F057BA21 , 5F057BB22 , 5F057BB32 , 5F057BB33 , 5F057BB37 , 5F057BB38 , 5F057CA12 , 5F057DA03 , 5F057EA01 , 5F057EA06 , 5F057EA07 , 5F057EA08 , 5F057EA09 , 5F057EA10 , 5F057EA21 , 5F057EA22 , 5F057EA23 , 5F057EA25 , 5F057EA26 , 5F057EA27 , 5F057EA29 , 5F057EA31

引用特許：

審査官引用 (2件)

コバルトの化学機械研磨用スラリー
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-523470 出願人：フーダン・ユニバーシティー
化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-029637 出願人：JSR株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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