特許
J-GLOBAL ID:201603012179678488
超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
井上 一
, 竹腰 昇
, 黒田 泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-047228
公開番号(公開出願番号):特開2016-106500
出願日: 2016年03月10日
公開日(公表日): 2016年06月16日
要約:
【課題】 薄型で、かつ、基板の厚み方向の押圧に耐える強度を有する超音波トランスデューサー素子チップは提供される。【解決手段】基 板には開口がアレイ状に配置される。基板の第1面では個々の開口に超音波トランスデューサー素子が設けられる。第1面の反対側の基板の第2面には補強部材52が固定される。補強部材52の表面には溝53が形成される。溝53は、開口幅Sよりも小さい間隔Lで並べられる。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
開口がアレイ状に配置された基板と、
前記基板の第1面において個々の前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
前記基板の前記第1面とは反対側の前記基板の第2面に固定されて前記基板を補強する補強部材と、を備え、
前記補強部材は、前記基板の前記第2面に固定される面において、当該面の面内の第1の方向に、前記基板の前記第2面における前記開口の前記第1の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べて配置され、前記開口の内部空間および前記基板の外部空間を相互に連通する直線状溝部を有することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
IPC (3件):
H04R 17/00
, H04R 31/00
, A61B 8/14
FI (4件):
H04R17/00 330Z
, H04R17/00 332A
, H04R31/00 330
, A61B8/14
引用特許: