半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-524496
特許番号：特許第6029667号
出願日： 2012年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に電力制御用の複数の半導体チップを形成する工程と、隣接する前記半導体チップを区画する帯状のダイシング領域が交差する交差領域において前記半導体基板上を被覆する応力緩和樹脂層を形成する工程と、前記交差領域でダイシングを行って前記応力緩和樹脂層を切断する工程と、前記応力緩和樹脂層間の前記ダイシング領域でダイシングを行う工程と、ダイシングにより個片化された前記半導体チップに配線を行う工程と、配線された前記半導体チップを熱硬化性樹脂で封止する工程と、を備え、前記半導体チップ表面の主電極の外周部を被覆する絶縁樹脂層は前記応力緩和樹脂層と同一材料で連続した樹脂層である、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ( 200 6.01) , H01L 23/31 ( 200 6.01) , H01L 21/60 ( 200 6.01) , H01L 21/301 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 23/30 B , H01L 21/60 301 P , H01L 21/60 321 E , H01L 21/78 L , H01L 21/78 F

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-043745 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 日立エル・エス・アイ・テクノロジーズ株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-093930 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-137593 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-043745 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 日立エル・エス・アイ・テクノロジーズ株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-093930 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-137593 出願人：松下電器産業株式会社

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