n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-189584
公開番号（公開出願番号）：特開2016-036034
出願日： 2015年09月28日
公開日（公表日）： 2016年03月17日
要約：

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なn型拡散層を形成することなく特定の部分に分散媒由来の残渣が少ないn型拡散層を形成する方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。【解決手段】ドナー元素を含むガラス粉末及び分散媒を含有するn型拡散層形成組成物を用いてシリコン基板にn型拡散層12を形成し、超音波洗浄を実施する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ドナー元素を含むガラス粉末及び分散媒を含有するn型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施してn型拡散層を形成する工程と、 n型拡散層が形成された半導体基板を超音波により洗浄する工程と、を有するn型拡散層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 , H01L 31/18 , H01L 31/068

FI (3件)：

H01L21/225 R , H01L31/04 440 , H01L31/06 300

Fターム (16件)：

5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151AA16 , 5F151BA11 , 5F151CB20 , 5F151CB21 , 5F151DA03 , 5F151EA09 , 5F151EA11 , 5F151EA15 , 5F151FA06 , 5F151FA14 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151GA15 , 5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

特公昭32-001180
光起電モジュールの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-254441 出願人：エウロゾラーレ・ソシエタ・ペル・アチオニ
太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142406 出願人：三菱電機株式会社

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